18 August, 2017

Kurs angielskiego

rp_nauka81.jpg

Technologie implantacji

Z punktu widzenia technologii przyrządów półprzewodnikowych przedmiotem zainteresowania są następujące właściwości procesu implantacji: otrzymywanie płytkich warstw domieszkowanych; dokładna kontrola ilości wprowadzanych domieszek w szerokim zakresie od małych do dużych dawek; dokładniejsza, niż w przypadku innych metod domieszkowania, kontrola profilu rozkładu wprowadzanych domieszek, możliwość formowania różnych rozkładów na drodze zmian energii i dawki jonów, oraz możliwości sumowania efektów różnych procesów implantacyjnych; możliwość wytwarzania warstw zagrzebanych oraz domieszkowania poprzez warstwy pokryć maskujących; prowadzenie procesu domieszkowania w niskiej temperaturze i w próżni, tj. duża czystość; niższe temperatury wygrzewań poimplantacyjnych niż temperatury odpowiednich dyfuzji termicznych; małe rozmycie boczne pod krawędziami maski oraz duży wybór materiałów masek. Należy zaznaczyć, iż ze względu na małe rozmycie boczne wiązki jonów pod krawędzią maski, wytwarzane złącza w przypadku maski tlenkowej wychodzą na powierzchnię na krawędzi okna. Aby tęgo uniknąć, należy specjalnie formować krawędź maski bądź implantować domieszkę przez cienkie warstwy pasywujące ; wprowadzanie defektów radiacyjnych, które mogą być wykorzystane do zmian właściwości dielektryków, regulacji czasu życia, geterowania jonów ciężkich metali, oraz otrzymywania warstw o małej ruchliwości, tj. o dużej rezystywności; szeroki wybór domieszek; możliwość otrzymania na drodze implantacji płytkich kontaktów o małej rezystancji przez wytwarzanie obszarów tł+ czy p+; duża jednorodność i powtarzalność procesu domieszkowania; łatwość automatyzacji procesu ze względu na możliwość jego regulacji za pomocą zmian wielkości elektrycznych; duża wydajność procesu domieszkowania oraz łatwość zmian parametrów domieszkowania, tj. energii, dawki jonów i typu jonów.

Przeczytaj także: Mikrostruktura

 

Podstawowy wpływ na mikrostrukturę warstw Al oraz podatność warstw na deformacje strukturalne, zachodzące w czasie procesów wytwarzania metalizacji , jak również w czasie eksploatacji przyrządów półprzewodnikowych, mają parametry: podłoża, na którym leży metalizacja, procesu osadzania próżniowego cienkich warstw Al. Do czynników w procesie osadzania próżniowego, które muszą być w sposób świadomy ustalone i następnie konsekwentnie kontrolowane w procesach technologicznych, zalicza się: technikę procesu osadzania próżniowego, – czystość oraz stopień odgazowania aluminium stosowanego w technice osadzania próżniowego, szybkość osadzania warstwy na płytkach krzemowych, wartość całkowitego ciśnienia roboczego bezpośrednio przed oraz w czasie procesu technologicznego, temperaturę podłoży w czasie osadzania oraz rodzaj i parametry techniczne układu grzejnego, wartość ciśnień cząstkowych par i gazów aktywnych względem Al oraz innych par i gazów wpływających na parametry i niezawodność metalizacji bezpośrednio przed i w czasie procesu osadzania próżniowego. Parametry procesu osadzania próżniowego można w zadowalający technologicznie sposób zoptymalizować na podstawie pomiarów rezystywności warstw Al oraz kontroli ich powierzchni i struktury na elektronowym mikroskopie analizującym i elektronowym mikroskopie prześwietleniowym. Pomiary elektryczne oraz kontrolę mikroskopową należy przeprowadzać po każdej z operacji wchodzących w skład cyklu technologicznego wytwarzania metalizacji łącznie z procesami osadzania szkliw pasywujących oraz montażu struktur w obudowach. Zaleca się również przeprowadzanie statystycznych badań w czasie eksploatacji przyrządów półprzewodnikowych.

Pozostałe artykuły o edukacji i szkole:

Technologie implantacji
0 votes, 0.00 avg. rating (0% score)
Previous article
Symbolisci
Next article
Tworzywa zaroodporne
About the author
related articles